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東芝半導(dǎo)體與存儲器社（Toshiba Semiconductor＆Storage Products）社長小林清治在10日的事業(yè)說明會上，宣布今后將在功率半導(dǎo)體事業(yè)投入更多資源，預(yù)計數(shù)年內(nèi)要搶下全球市占率第1名王位。目前該公司功率半導(dǎo)體市占率為業(yè)界第3。

東芝的第1個動作，就是引進新的元件結(jié)構(gòu)，以打造高效能產(chǎn)品。例如在高耐壓MOSFET方面，東芝將利用單磊晶（single epi）構(gòu)造的超接面（Super-junction）技術(shù)，可降低漏電電流，借此獲得更高的電源效率。而為因應(yīng)高頻元件需求，導(dǎo)入碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）等新材料的功率半導(dǎo)體也正在開發(fā)當中。

小林表示，東芝的策略是以最少額的設(shè)備投資，達到最大生產(chǎn)效率，因此決定把四日市工廠的8吋晶圓生產(chǎn)線制造設(shè)備調(diào)度到加賀工廠，挪作生產(chǎn)功率半導(dǎo)體之用。設(shè)備重新分配之后，8吋晶圓產(chǎn)量至2013年將達到全部功率半導(dǎo)體產(chǎn)量的80％。另一方面，加賀工廠生產(chǎn)線會預(yù)估2012年前就會達到滿載，東芝會視必要性決定是否再建新廠房。

關(guān)于其他降低成本的具體對策，東芝表示，由于功率半導(dǎo)體的封裝測試成本偏高，占整體生產(chǎn)過程費用40％，故提高委外代工比重將是基本方針，2012年的委外比例預(yù)計上80％，到2013年則會來到90％。

此外，東芝將原本制造系統(tǒng)單晶片（SoC）的大分工廠重新定位，轉(zhuǎn)為生產(chǎn)CMOS。特別是為平板電腦及智慧型手機設(shè)計的背照式（Back Side Illuminated；BSI）CMOS感光元件，具有高感度與高速度之特色，未來將成為大分工廠的主要生產(chǎn)品項。

東芝還打算針對獲利率較低的系統(tǒng)大規(guī)模集成電路（LSI）進行瘦身，2010年東芝把50％產(chǎn)量下放給三星電子（Samsung Electronics），這個比例至2013年預(yù)計會擴大到80％以上。